Vui lòng dùng định danh này để trích dẫn hoặc liên kết đến tài liệu này:
https://elib.vku.udn.vn/handle/123456789/1866| Nhan đề: | Effects of High-Energy Electron Irradiation on the InGaP/GaAs Heterojunction Photosensor |
| Tác giả: | Than, Hong Phuc Huynh, Thanh Tung Than, Quang Tho Duong, Huu Ai Nguyen, Vu Anh Quang |
| Từ khoá: | Heterojunction phototransistor (HPT) InGaP/GaAs GaAs solar cell energy harvesting |
| Năm xuất bản: | 2021 |
| Nhà xuất bản: | Da Nang Publishing House |
| Tóm tắt: | The InGaP/GaAs heterojunction phototransistor (HPT) and GaAs solar cell were monolithically integrated on an HPT epitaxial wafer, and the batteryfree operation of the photosensor was successfully demonstrated for energy harvesting and its measured electrical characteristics are consistent with simulation results. Radiation hardness of the energy-harvesting InGaP/GaAs HPT, which was confirmed after the high-energy electron irradiation, guarantees its space application. |
| Mô tả: | The 10th Conference on Information Technology and its Applications; Topic: Network and Communications; pp. 451-459. |
| Định danh: | http://elib.vku.udn.vn/handle/123456789/1866 |
| ISBN: | 978-604-84-5998-7 |
| Bộ sưu tập: | CITA 2021 |
Khi sử dụng các tài liệu trong Thư viện số phải tuân thủ Luật bản quyền.