Giải pháp ghi đệm cho bộ nhớ Nand Flash

Abstract

Bộ nhớ flash được sử dụng rất phổ biến hiện nay do những ưu điểm nổi bật của nó như tốc độ nhanh, gọn nhẹ, tính ổn định cao, tiêu thụ ít điện năng. Tuy nhiên, bên cạnh những ưu điểm nổi bật nói trên bộ nhớ flash vẫn có những nhược điểm đáng chú ý như thuộc tính “Erase-before-write”, vòng đời hữu hạn (khoảng 10.000~100.000 lần xóa trên mỗi block). Những nhược điểm này khiến cho việc triển khai cây chỉ mục B-tree trên bộ nhớ flash giảm hiệu quả đáng kể bởi vì một số lượng lớn các thao tác phát sinh trên bộ nhớ flash mỗi khi cập nhật dữ liệu trên cây B-tree. Bài báo này giới thiệu một giải pháp ghi đệm mới cho các ứng dụng B-tree trên bộ nhớ flash. Giải pháp này sử dụng một số block của bộ nhớ flash làm bộ đệm để lưu tạm thời các node cập nhật một cách tuần tự. Khi bộ đệm đầy, 1 block được lựa chọn, sắp xếp các trang tương ứng với các node theo thứ tự tăng dần và ghi tuần tự vào block dữ liệu. Hệ thống này giúp các ứng dụng giảm số lượng các thao tác trên bộ nhớ flash đồng thời tăng hiệu suất sử dụng của bộ nhớ flash do đó tuổi thọ của bộ nhớ flash sẽ được tăng lên.